參數資料
型號： MP6759
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數： 1/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： MP6759
MP6759
2002-11-20
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MP6759
Motor Control Applications
High Power Switching Applications
The electrodes are isolated from case.
6 IGBTs are built into 1 package.
Enhancement-mode
Low saturation voltage
: V
CE (sat)
= 2.7 V (max) (I
C
= 10 A)
High speed: t
f
= 0.35 μs (max) (I
C
= 10 A)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
V
CES
600
V
Gate-emitter voltage
V
GES
±20
V
DC
I
C
10
Collector current
1 ms
I
CP
20
A
DC
I
F
10
Forward current
1 ms
I
FM
20
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
P
C
40
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
40 to 125
°C
Isolation voltage
V
Isol
2500
(AC 1 minute)
V
Screw torque
―
1.5
N·m
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-78A1A
Weight: 44 g (typ.)
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