參數(shù)資料
型號(hào)： MP6759
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： MP6759
MP6759
2002-11-20
2
Equivalent Circuit
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GES
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0 V
―
―
±200
nA
Collector cut-off current
I
CES
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0 V
―
―
1
mA
Gate-emitter cut-off voltage
V
GE (off)
I
C
= 1 mA, V
CE
= 5 V
5
―
8
V
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
I
C
= 10 A, V
GE
= 15 V
―
2.1
2.7
V
Input capacitance
C
ies
V
CE
= 10 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
―
720
―
pF
Rise time
t
r
―
0.3
―
Turn-on time
t
on
―
0.4
―
Fall time
t
f
―
0.2
0.35
Switching time
Turn-off time
t
off
―
0.4
―
μs
Forward voltage
V
F
I
F
= 10 A, V
GE
= 0 V
―
―
2.0
V
Reverse recovery time
t
rr
I
F
= 10 A, di/dt =
100 A/μs
―
―
200
ns
Transistor
―
―
3.09
Thermal resistance
R
th (j-c)
Diode
―
―
4.77
°C/W
15 V
15 V
0 V
300 V
3
100
+
GU
(BU)
GX
(BX)
GV
(BV)
GY
(BY)
GW
(BW)
GZ
(BZ)
U
V
W
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