參數(shù)資料
型號(hào)： MP4412
廠(chǎng)商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N Channel MOS Type (Four L2-pi-MOSV inOne)
中文描述： 硅?頻道馬鞍山類(lèi)型（四二級(jí)-π- MOSV InOne公司）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： MP4412
MP4412
2004-07-01
6
Case temperature Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
D
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Case temperature Tc (°C)
V
th
– Tc
G
t
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic Input/Output Characteristics
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Safe Operating Area
D
D
Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
10
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
100
30
50
100
300
500
1000
3000
Ciss
Coss
Crss
0
0
0
Common source
ID = 5 A
Tc = 25°C
8
16
24
32
20
40
60
80
4
8
12
16
VDD = 80 V
20
40
VDS
VGS
0
80
Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
40
0
40
80
120
160
1
2
3
4
5
0.1
1
100 μs*
10 ms*
1 ms*
IDmax
100 ms*
3
10
30
100
300
0.3
1
3
10
30
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IDPmax
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VGS = 4 V
10 V
1.3
ID = 5 A
1.3
2.5
2.5
ID = 5 A
Common source
Common source
Tc = 25°C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.3
0.5
1
3
5
10
30
VGS = 0,
1 V
10
3
1
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PDF描述
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