參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBTH10LT1
MMBTH10LT1, MMBTH104LT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
600
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 1. Rectangular Form
gib (mmhos)
Figure 2. Polar Form
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Rectangular Form
gfb (mmhos)
Figure 4. Polar Form
70
60
50
10
0
10
0
20
40
60
0
80
100
70
60
50
40
30
20
0
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30
20
10
10
30
50
70
10
10
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300
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500
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40
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20
20
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40
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1000
0
10
20
30
30
20
10
40
70
60
50
bfb
gfb
100
200
400
700
1000 MHz
1000 MHz
100
200
400
700
gib
bib
j
i
j
f
,
i
y
,
i
y
yfb, FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
COMMONBASE y PARAMETERS versus FREQUENCY
(VCB = 10 Vdc, IC = 4.0 mAdc, TA = 25
°
C)
yib, INPUT ADMITTANCE
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10RG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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