參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBTH10LT1
MMBTH10LT1, MMBTH104LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
30
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(IE = 10
μ
Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
3.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 25 Vdc, IE = 0)
ICBO
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 2.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
hFE
60
120
240
CollectorEmitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 mAdc, IB = 0.4 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
VBE
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
MMBTH10LT1
MMBTH104LT1
fT
650
800
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB= 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
0.7
pF
CommonBase Feedback Capacitance
(VCB= 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Crb
0.65
pF
Collector Base Time Constant
(IC= 4.0 mAdc, VCB = 10 Vdc, f = 31.8 MHz)
rb
′
Cc
9.0
ps
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PDF描述
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MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10RG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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