參數(shù)資料
型號： MMBT3416LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier(NPN Silicon)
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： MMBT3416LT3
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 4.5 Vdc)
hFE
75
225
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 3.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.3
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 3.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
0.6
1.3
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 18 Vdc, TA = 100
°
C)
ICBO2
—
15
μ
Adc
Small–Signal Current Gain
(IC = 2.0 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1 kHz)
hFE
75
—
—
Figure 1. Turn–On Time
Figure 2. Turn–Off Time
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
–0.5 V
<1.0 ns
10 < t1 < 500
μ
s
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0
–9.1 V
<1.0 ns
t1
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MMBT3640 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3640_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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