參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401W
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述： 迷你型離散半導(dǎo)體元件
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： MMBT5401W
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
–150
Vdc
Collector–Base Voltage
–160
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBT5401LT1 = 2L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–150
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–160
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –120 Vdc, IE = 0)
(VCB = –120 Vdc, IE = 0, TA = 100
°
C)
ICES
—
—
–50
–50
nAdc
μ
Adc
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MMBT5401LT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
Motorola Preferred Device
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT5401LT1 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401LT3 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401LT3G High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401LT1G High Voltage Transistor(PNP Silicon)
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