參數(shù)資料
型號： MMBT3416LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier(NPN Silicon)
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： MMBT3416LT3
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VEBO
IC
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RJA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MMBT3416LT3 = GP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 25 Vdc, IE = 0)
ICBO1
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
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by MMBT3416LT3/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
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MMBT3640 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT3640-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MMBT3640 Series 12 V CE Breakdown .2 A PNP Switching Transistor - SOT-23
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