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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE16204 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | MJE16204 |
MJE16204
http://onsemi.com
6
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
0
≈ -35 V
5
0
50
0
10
0
-V
2N533
7
1 F
+-
+
-
0.02 F
20
10
0
+V ≈ 11 V
2N619
1
A
RB1
RB2
10 F
0.02 F
T1
+V
0 V
-V
A
50
*IB
*IC
T.U.T
.
L
MR85
6
Vclamp
VCC
IC
VCE
IB
IB1
IB2
IC(pk)
VCE(pk)
T1 [
Lcoil (ICpk)
VCC
T1 adjusted to obtain IC(pk)
V(BR)CEO
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
RBSOA
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
Note: Adjust –V to obtain desired VBE(off) at Point A.
*Tektronix
*P–6042 or
*Equivalent
Table 1. RBSOA/V(BR)CEO(sus) Test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE18002D2AS | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18002D2DW | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS |
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