參數(shù)資料
型號： MJD18002D2-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大小： 142K
代理商： MJD18002D2-1
MJD18002D2
http://onsemi.com
7
Typical Switching Characteristics
Figure 19. Inductive Switching Time,
tfi & TC @ G = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1600
0
1.5
1.1
0.7
0.3
Figure 20. Inductive Switching Time, tsi
t,
TIME
(
m
s)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
1
0.5
0
t,
TIME
(
m
s)
Figure 21. Inductive Storage Time, tfi
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
150
50
1.5
0
Figure 22. Inductive Storage Time, tc
t,
TIME
(
m
s)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
t,
TIME
(
m
s)
50
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi
hFE, FORCED GAIN
1.6
0
1
CROSS–OVER
TIME
(ns)
Figure 24. Dynamic Saturation Voltage
Measurements
2.4
400
800
0.4
0.8
1.2
1.6
1.5
100
150
200
300
100
0.4
1.2
1.8
1200
200
0.5
1
250
0.5
1
0.8
1.2
1.4
1.6
2.0
2.2
IBon = IBoff,
VCC = 15 V,
VZ = 300 V
LC = 200 mH
IBoff = IC/2,
VCC = 15 V,
VZ = 300 V
LC = 200 mH
IBoff = IC/2,
VCC = 15 V,
VZ = 300 V
LC = 200 mH
IBon = IBoff,
VCC = 15 V,
VZ = 300 V
LC = 200 mH
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
tfi
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBoff = IC/2,
VCC = 15 V,
VZ = 300 V
LC = 200 mH
IC/IB = 5
IC/IB = 10
IB = 500 mA
IB = 200 mA
IB = 100 mA
IB = 50 mA
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PDF描述
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MJD200_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
MJD200_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors
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