參數(shù)資料
型號(hào)： MJD18002D2-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： MJD18002D2-1
MJD18002D2
http://onsemi.com
5
Typical Static Characteristics
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
IC/IB = 5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
IC/IB = 10
0.1
V
BE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
0.1
V
BE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region
IC/IB = 20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 10. Forward Diode Voltage
0.1
V
BE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
1
0.1
0.01
FOR
W
ARD
DIODE
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
0.1
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
VEC(V) = –20°C
125
°C
25
°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 20
Typical Switching Characteristics
Figure 11. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
1
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3000
2000
1.6
0.4
0.1
0
10
1000
Figure 12. Resistive Switch Time, ton
100
1000
2500
500
1500
Cib (pF)
Cob (pF)
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
0.7
1
1.3
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 40
ms
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
t,
TIME
(
m
s)
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PDF描述
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