參數(shù)資料
型號： MJD18002D2-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, DPAK-3
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： MJD18002D2-1
MJD18002D2
http://onsemi.com
4
Typical Static Characteristics
Figure 1. DC Current Gain @ 1 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
40
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 2. DC Current Gain @ 5 V
0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 3. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (AMPS)
4
1
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
0
V
CE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.1
V
CE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
2
1
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
1
0.1
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
100
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
TJ = 25°C
2 A
1.5 A
1 A
IC = 200 mA
400 mA
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
20
60
80
VCE = 1 V
100
40
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
20
60
80
VCE = 5 V
3
IC/IB = 20
IC/IB = 10
IC/IB = 5
TJ = 125°C
–20
°C
25
°C
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PDF描述
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