參數(shù)資料
型號： MJB18004D2T4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： MJB18004D2T4
MJB18004D2T4
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO
450
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
VCBO
1000
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
1000
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
Collector Current — Peak (1)
IC
ICM
5
10
Adc
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
2
4
Adc
*Total Device Dissipation @ TC = 25_C
*Derate above 25
°C
PD
75
0.6
Watt
W/
_C
Operating and Storage Temperature
TJ, Tstg
–65 to 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance — Junction to Case
Thermal Resistance — Junction to Ambient
RθJC
RθJA
1.65
62.5
_C/W
Junction to Ambient, When Mounted With the Minimun
Recommended Pad Size.
RθJA
50
_C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8
″ from case for 5 seconds
TL
260
_C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
≤ 10%.
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PDF描述
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