參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA20W1200MC
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK-18
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MIXA20W1200MC
2011 IXYS All rights reserved
1 - 6
20110304b
MIXA20W1200MC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Six-Pack
XPT IGBT
V
CES
=1200V
I
C25
= 28A
V
CE(sat)=
2.1V
Features:
Easy paralleling due to the positive
temperature coefficient of the on-state
voltage
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Solar inverter
Medical equipment
Uninterruptible power supply
Air-conditioning systems
Welding equipment
Switched-mode and
resonant-mode power supplies
Package:
"ECO-PAC2" standard package
Easy to mount with two screws
Insulated base plate
Soldering pins for PCB mounting
Space and weight savings
Improved temperature and
power cycling capability
High power density
Partname (Marking on product)
MIXA20W1200MC
L9
A5
O9
C1
G10
H10
P9
C5
A1
S18
E5
G14
E1
W18
I14
K14
K10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA20W1200TMH 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA20WB1200TMH 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA40WB1200TED 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80W1200TED 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ11028.MODR1 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA20W1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20W1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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