參數(shù)資料
型號(hào)： MJ11028.MODR1
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 59K
代理商： MJ11028.MODR1
Prelim. 2/96
LAB
SEME
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: sales@semelab.co.uk
VCEO
Collector – Emitter Voltage
VCBO
Collector – Base Voltage
VEBO
Emitter – Base Voltage
IC
Continuous Collector Current
ICM
Peak Collector Current
IB
Base Current
Ptot
Total Dissipation at Tcase = 25°C
Derate above 25°C
TSTG , TJ
Operating and Storage Junction Temperature Range
60V
90V
120V
MJ11028
MJ11029
MJ11030
MJ11031
MJ11032
MJ11033
5V
50A
100A
2A
300W
1.71W/°C
–55 to +175°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
12
30
.1
5
(1
.1
87)
16.
8
9
(0
.6
6
5
)
10.92
(0.430)
25.4
(1.0)
4.0 ± 0.1
(0.157 ± 0.004)
1.57
(0.062)
11.65 ± 0.35
(0.459 ± 0.014)
+0.016
–0
(0.161
)
4.1
+0.4
–0
9.0
(0.354)
0.127
(0.005)
unless otherwise stated
Tolerance ±
COMPLEMENTARY
DARLINGTON
POWER TRANSISTOR
FEATURES
HIGH DC CURRENT GAIN
HFE = 1000 Min @ IC = 25A
HFE = 400 Min 0@ IC = 50A
CURVES TO 100A (Pulsed)
DIODE PROTECTION TO RATED IC
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH
BUILT-IN BASE – EMITTER SHUNT RESISTOR
JUNCTION TEMPERATURE TO +200°C
Pin 1 – Base
TO–3
Pin 2 – Emitter
Case – Collector
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
For use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11030R1 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ11030.MOD 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ11030.MODR1 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
MJ15001.MOD 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ15001 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11029 功能描述:達(dá)林頓晶體管 50A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11029 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11029G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 50A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ1102F 制造商:Ohmite Mfg Co 功能描述:
MJ11030 功能描述:TRANS DARL NPN 50A 90V TO-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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