參數(shù)資料
型號： MIXA20W1200TMH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SIXPACK-22
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 316K
代理商： MIXA20W1200TMH
2009 IXYS All rights reserved
1 - 6
20091127a
MIXA20W1200TMH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Six-Pack
XPT IGBT
Pin configuration see outlines.
Features:
High level of integration - only one
power semiconductor module required
for the whole drive
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
Temperature sense included
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Pumps, Fans
Washing machines
Air-conditioning system
Inverter and power supplies
Package:
"Mini" package
Assembly height is 17 mm
Insulated base plate
Pins suitable for wave soldering and
PCB mounting
Assembly clips available
- IXKU 5-505 screw clamp
- IXRB 5-506 click clamp
UL registered E72873
Part name (Marking on product)
MIXA20W1200TMH
E 72873
V
CES
= 1200 V
I
C25
=
28 A
V
CE(sat) =
1.8 V
G1
G3
G5
G2
G4
G6
U
V
W
NTC1
EU
EV
EW
NTC2
D1
D3
D5
D2
D4
D6
T1
T3
T5
T2
T4
T6
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA20WB1200TMH 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA40WB1200TED 60 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80W1200TED 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ11028.MODR1 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ11030R1 50 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA20W1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA225PF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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