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參數資料
| 型號： | MGV100-22-E28X |
| 元件分類： | 變容二極管 |
| 英文描述： | KA BAND, 0.88 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封裝： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 612K |
| 代理商： | MGV100-22-E28X |
Aeroex / Metelics
Aeroex Microelectronic Solutions
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Revision Date: 11/14/05
A17041 (-)
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series
H20
(hermetic)
0805-02
(non-hermetic)
Outline Drawings
P55
(hermetic)
85 [2.159]
75 [1.905]
55 [1.397]
45 [1.143]
Epoxy
Cathode Dot
33 [0.838]
27 [0.686]
16 [0.406]
12 [0.305]
40 [1.016] Min.
50 [1.270] Max.
Gold Metalization
Bottom View
Ceramic
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGV125-09 | KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV34092-E28 | KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSV40060-P55 | KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MMBD4448HT | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR2080CT | 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGV1004100M-10 | 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1 |
| MGV10041R0M-10 | 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1 |
| MGV10041R5M-10 | 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:2,000 |
| MGV10042R2M-10 | 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1 |
| MGV10043R3M-10 | 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:18.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1 |
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