參數(shù)資料
型號： MGV100-22-E28X
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： KA BAND, 0.88 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV100-22-E28X
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series
Description
The MGV series of hyperabrupt varactor diodes feature
passivated mesa construction for low leakage and excellent post
tuning drift. Available in three constant gamma families of 0.75,
1.0 and 1.25. These diodes will nd application in tunable lters
and oscillators up to 40 GHz. Optimum performance is obtained
using die however packaged devices are available as well
diodes screened per MIL-PRF-19500 and MIL-PRF-38534.
Features
0 to 22 Volt tuning voltage
Tuning ratios up to 10 (typical)
Three constant gamma families -
0.75, 1.0, and 1.25
Screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-35834 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Rating
Reverse Voltage
22 V
Forward Current
100 mA
Power Dissipation
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
250 mW at T
C = 25 °C, derate linearly to zero at TC = +200 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +150 °C
100 mW at T
A = 25 °C, derate linearly to zero at TA = +200 °C
Operating Temperature
Chip
E28, E28X, & 0805-2
H20, P55 & P55
-65
°C to +200 °C
-65
°C to +150 °C
-65
°C to +200 °C
Storage Temperature
Same as operating temperature.
Soldering Temperature
Chip
Packaged
+320
°C for 10 seconds
+260
°C peak per JEDEC J-STD-20C
相關PDF資料
PDF描述
MGV125-09 KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV34092-E28 KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV40060-P55 KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MMBD4448HT 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR2080CT 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
MGV10043R3M-10 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:18.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*