參數(shù)資料
型號(hào)： MGV100-22-E28X
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： KA BAND, 0.88 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV100-22-E28X
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
5
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.00±10%
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV100-08-E28 / 28 X
100
0.37
0.43
0.49
1.9
2.7
4.0
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-08H20
100
0.46
0.53
0.61
0.8
1.9
2.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-08-P55
100
0.41
0.48
0.55
1.4
2.3
3.4
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-08-0805-2
100
0.35
0.41
0.47
2.1
2.9
4.3
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-09-E28 / 28 X
100
0.47
0.53
0.59
2.1
2.9
4.2
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-09-H20
100
0.56
0.63
0.71
1.3
2.2
3.2
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-09-P55
100
0.51
0.58
0.65
1.7
2.5
3.7
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-09-0805-2
100
0.45
0.51
0.57
2.2
3.0
4.4
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-20-E28 / 28 X
100
0.57
0.63
0.70
2.2
3.0
4.3
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-20-H20
100
0.66
0.73
0.82
1.6
2.4
3.5
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-20-P55
100
0.61
0.68
0.76
1.9
2.7
3.9
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-20-0805-2
100
0.55
0.61
0.68
2.3
3.1
4.5
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-21-E28 / 28 X
100
0.65
0.73
0.81
2.3
3.0
4.4
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-21-H20
100
0.74
0.83
0.93
1.7
2.6
3.8
4,000
0.18
0.5
H20
MGV100-21-P55
100
0.69
0.78
0.87
2.0
2.8
4.1
4,000
0.13
0.35
P55
MGV100-21-0805-2
100
0.63
0.71
0.79
2.4
3.1
4.6
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-22-E28 / 28 X
100
0.79
0.88
0.97
2.4
3.1
4.5
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-22-H20
100
0.88
0.98
1.09
1.9
2.7
4.0
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-22-P55
100
0.83
0.93
1.03
2.1
2.9
4.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-22-0805-2
100
0.77
0.86
0.95
2.4
3.2
4.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-23-E28 / 28 X
100
0.97
1.08
1.19
2.4
3.2
4.6
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-23-H20
100
1.06
1.18
1.31
2.1
2.8
4.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-23-P55
100
1.01
1.13
1.25
2.3
3.0
4.4
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-23-0805-2
100
0.95
1.06
1.17
2.5
3.2
4.7
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-24-E28 / 28 X
100
1.15
1.28
1.41
2.5
3.2
4.7
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-24-H20
100
1.24
1.38
1.53
2.2
2.9
4.3
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-24-P55
100
1.19
1.33
1.47
2.3
3.1
4.5
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-24-0805-2
100
1.13
1.26
1.39
2.5
3.2
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-25-E28 / 28 X
100
1.42
1.58
1.74
2.5
3.2
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-25-H20
100
1.51
1.68
1.86
2.3
3.0
4.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-25-P55
100
1.46
1.63
1.80
2.4
3.1
4.6
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-25-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
2.6
3.3
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-26-E28 / 28 X
100
1.70
1.78
1.96
2.5
3.3
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-26-H20
100
1.79
1.88
2.08
2.4
3.1
4.5
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-26-P55
100
1.74
1.83
2.02
2.5
3.2
4.7
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-26-0805-2
100
1.68
1.76
1.94
2.6
3.3
4.8
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV100-27-E28 / 28 X
100
1.87
2.08
2.29
2.6
3.3
4.8
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV100-27-H20
100
1.96
2.18
2.41
2.4
3.1
4.6
3,000
0.18
0.5
H20
MGV100-27-P55
100
1.91
2.13
2.35
2.5
3.2
4.7
3,000
0.13
0.35
P55
MGV100-27-0805-2
100
1.85
2.06
2.27
2.6
3.3
4.9
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGV125-09 KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV34092-E28 KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV40060-P55 KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MMBD4448HT 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR2080CT 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10043R3M-10 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:18.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.8 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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