參數(shù)資料
型號(hào)： MGV100-22-E28X
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： KA BAND, 0.88 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV100-22-E28X
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
6
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 1.25±10%
Chip
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
C
J
Tuning Ratio
Q
MIN
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
MGV125-08
100
0.25
0.30
0.35
4.0
5.0
8.4
4,000
C01A
MGV125-09
100
0.35
0.40
0.45
4.0
5.0
8.5
4,000
C01A
MGV125-20
100
0.45
0.50
0.55
4.0
5.0
8.6
4,000
C01A
MGV125-21
100
0.63
0.70
0.77
4.0
5.0
8.8
4,000
C01A
MGV125-22
100
0.90
1.00
1.10
4.0
5.0
9.0
3,000
C01A
MGV125-23
100
1.08
1.20
1.32
4.0
5.0
9.5
3,000
C01A
MGV125-24
100
1.35
1.50
1.65
4.0
5.0
10
3,000
C01A
MGV125-25
100
1.63
1.70
1.87
4.0
5.0
10
3,000
C01A
MGV125-26
100
1.80
2.00
2.20
4.0
5.0
10
3,000
C01A
Test Conditions
V
R = 18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12 V
F = 1 MHz
V
R =
2 to 20 V
V
R = 4 V
F = 50 MHz
Typical Performance, Chips
C
J
(pF)
V
R (Volts)
C
J
(pF)
V
R (Volts)
Outline Drawing
C01A
–
MGV125 -08
–
MGV125 -09
–
MGV125 -20
–
MGV125 -21
10
1
0.1
0.01
1
10
100
–
MGV125 -22
–
MGV125 -23
–
MGV125 -24
–
MGV125 -25
–
MGV125 -26
10
1
0.1
1
10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGV125-09 KA BAND, 0.4 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV34092-E28 KU BAND, 9.88 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MSV40060-P55 KU BAND, 0.53 pF, 60 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MMBD4448HT 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MBR2080CT 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10043R3M-10 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 10A 11.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:10A 電流 - 飽和值:18.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.8 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長(zhǎng) x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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