參數(shù)資料
型號： MG600J2YS60A
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 8/9頁
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代理商： MG600J2YS60A
MG600J2YS60A
2002-09-06
8
C
C
Forward current I
F
(A)
I
rr
, t
rr
– I
F
R
r
R
r
Forward current I
F
(A)
E
dsw
– I
F
R
d
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C – V
CE
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse bias SOA
Pulse width t
w
(s)
R
th
– t
w
R
t
10
0
100
300
400
600
100
1000
200
500
trr
Irr
100
0.01
0.1
1
10
1000
1000
10000
100000
100
1000000
Cies
Coes
Cres
1
0
10
100
10000
200
400
600
1000
Tj
RG 5.1
VGE 15 V
125°C
0.1
0
600
1
10
100
200
400
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Diode stage
Transistor stage
Tc 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US51 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG600Q1US61 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
MG600J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG600Q1US41 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US51 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US59A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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