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參數資料
| 型號： | MG600Q1US51 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 305K |
| 代理商： | MG600Q1US51 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG600Q1US61 | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG600Q1US41 | Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes |
| MG600Q2YS60A | HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG600J1US51 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MG600Q1US59A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG600Q1US61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG601 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES |
| MG61D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE |
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