參數(shù)資料
型號: MG600J2YS60A
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述: 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大小: 191K
代理商: MG600J2YS60A
MG600J2YS60A
2002-09-06
4
3. Module
(Tc 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Inverter IGBT stage
0.045
Junction to case thermal resistance
R
th (j-c)
Inverter FRD stage
0.068
°C/W
Case to fin thermal resistance
R
th (c-f)
With silicon compound
0.013
°C/W
Switching Time Test Circuit
Timing Chart
I
C
R
G
R
G
L
I
F
V
GE
V
CC
t
d (on)
t
d (off)
t
rr
90%
90%
10%
10%
t
f
I
C
V
GE
10%
I
rr
90% I
rr
20% I
rr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US51 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG600Q1US61 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG600J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG600Q1US41 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US51 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600Q1US59A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT