參數(shù)資料
型號： MG600J2YS60A
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： MG600J2YS60A
MG600J2YS60A
2002-09-06
5
Remark
<Short circuit capability condition>
Short circuit capability is 6 s after fault output signal.
Please keep following condition to use fault output signal.
V
CC
375 V
13.8 V
V
GE
16.0 V
R
G
5.1
T
j
50°C
<Gate voltage>
To use this product, V
GE
must be provided higher than 13.8 V.
In case V
GE
is less than 13.8 V, fault signal F
O
may not be output even under error conditions.
<For parallel use>
For parallel use of this product, please use the same rank for both V
CE (sat)
and VF among IGBT in
parallel without fail.
V
CE (sat)
V
F
Min
Max
18
B
1.5
1.8
20
C
1.7
2.0
22
D
1.9
2.2
24
E
2.1
2.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q1US51 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG600Q1US61 TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG600J2YS61A 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 600A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG600Q1US41 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
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MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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