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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MEM4X16E43VTW-5 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4 MEG x 16 EDO DRAM |
| 中文描述： | 4邁可× 16 EDO公司的DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 598K |
| 代理商： | MEM4X16E43VTW-5 |
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5
Figure 3
OE# Control of DQs
V
IL
CAS#
V
IL
RAS#
V
IL
ADDR
ROW
COLUMN (A)
COLUMN (B)
V
IL
OE#
V
IOL
OPEN
DQ
tOD
VALID DATA (B)
VALID DATA (A)
COLUMN (C)
VALID DATA (A)
tOE
VALID DATA (C)
COLUMN (D)
VALID DATA (D)
tOD
tOEHC
tOD
tOEP
tOES
The DQs go back to
Low-Z if
t
OES is met.
The DQs remain High-Z
until the next CAS# cycle
if
t
OEHC is met.
The DQs remain High-Z
until the next CAS# cycle
if
t
OEP is met.
Figure 4
WE# Control of DQs
V
IL
CAS#
V
IL
RAS#
V
IL
ADDR
ROW
COLUMN (A)
DONT CARE
UNDEFINED
V
IL
WE#
V
IOL
OPEN
DQ
tWPZ
The DQs go to High-Z if WE# falls and, if
t
WPZ is met,
will remain High-Z until CAS# goes LOW with
WE# HIGH (i.e., until a READ cycle is initiated).
V
IL
OE#
VALID DATA (B)
tWHZ
WE# may be used to disable the DQs to prepare
for input data in an EARLY WRITE cycle. The DQs
will remain High-Z until CAS# goes LOW with
WE# HIGH (i.e., until a READ cycle is initiated).
tWHZ
COLUMN (D)
VALID DATA (A)
COLUMN (B)
COLUMN (C)
INPUT DATA (C)
4 MEG x 16
EDO DRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MF-100 | GENERAL PURPOSE METAL FILM RESISTORS |
| MF-100T100100K0.5 | GENERAL PURPOSE METAL FILM RESISTORS |
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| MF-12 | GENERAL PURPOSE METAL FILM RESISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MEM512SD-DDR2-5 | 制造商:IBase Technology (USA) Inc. 功能描述:512MB SO-DIMM DDR-2, 533MHZ - Bulk |
| MEM-6106-1024-5E | 制造商:Emerson Network Power 功能描述:1GB MEMORY FOR CPCI-6106 - Bulk |
| MEMA14103A | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MICRO-QCK, M/F EXT 4P SINGL KEY 0.3M |
| MEMA14105A | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MICRO-QCK, M/F EXT 4P SINGL KEY 0.5M |
| MEMA1411A | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MICRO-QCK, M/F EXT MALE 4P SGL KEY 4M |
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