參數(shù)資料
型號： MBT3906DW1T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： MBT3906DW1T3
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
8
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 19. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 20. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
3 V
275
10 k
1N916
Cs < 4 pF*
3 V
275
10 k
Cs < 4 pF*
< 1 ns
+0.5 V
10.6 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
+9.1 V
10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t1
0
10 < t1 < 500 ms
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 21. Capacitance
REVERSE BIAS (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 22. Charge Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
VCC = 40 V
IC/IB = 10
Q,
CHARGE
(pC)
3000
2000
1000
500
300
200
700
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
QT
QA
Cibo
Cobo
TJ = 25°C
TJ = 125°C
MBT3906DW1T1 (PNP)
Figure 23. Turn – On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
TIME
(n
s)
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
Figure 24. Fall Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
t,
F
ALL
TIME
(ns)
f
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC/IB = 20
IC/IB = 10
tr @ VCC = 3.0 V
td @ VOB = 0 V
40 V
15 V
2.0 V
MBT3906DW1T1 (PNP)
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PDF描述
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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