參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3906DW1T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 14/16頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： MBT3906DW1T3
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
7
MBT3904DW1T1 (NPN)
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 15. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
FE
VCE = 1.0 V
TJ = +125°C
+25
°C
–55
°C
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 16. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
CE
IC = 1.0 mA
TJ = 25°C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
MBT3904DW1T1 (NPN)
Figure 17. “ON” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 18. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
– 0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
COEFFICIENT
(mV/
C)
200
– 1.0
– 1.5
– 2.0
200
°
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB =10
VCE(sat) @ IC/IB =10
VBE @ VCE =1.0 V
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
+25
°C TO +125°C
–55
°C TO +25°C
qVC FOR VCE(sat)
qVB FOR VBE(sat)
MBT3904DW1T1 (NPN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MC-10118BF1-ENY-A SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA481
MC141555P1 UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
MC141556P UNIVERSAL SERIAL BUS CONTROLLER, PDIP28
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參數(shù)描述
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MBT3946DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3946DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MBT3946DW1T2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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