參數(shù)資料
型號(hào)： MBT3906DW1T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 327K
代理商： MBT3906DW1T3
MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
6
MBT3904DW1T1 (NPN)
h PARAMETERS
(VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C)
Figure 11. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
50
Figure 12. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
,C
U
RR
E
N
T
GAI
N
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
Figure 13. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Voltage Feedback Ratio
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
50
5
10
20
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
0.5
10
0.3
0.5
3.0
0.7
2.0
5.0
10
20
1.0
0.2
0.5
oe
h
,
VOL
T
AGE
FEEDBACK
RA
TIO
(x
10
)
re
h
,I
NP
UT
IM
P
EDA
NC
E
(k
OHM
S)
ie
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
2
1
0.1
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.3
0.5
3.0
fe
m
–4
MBT3904DW1T1 (NPN)
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PDF描述
MBT3946DW1T1 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MBT3946DW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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