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參數(shù)資料
| 型號： | M59MR032C |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 39/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032C |
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M59MR032C, M59MR032D
Figure 14. Read and Write AC Waveforms, RP Related
AI90122
ADQ7
W
RP
tPLPH
tPHQ7V1,2
VALID
READ
ADQ7
VALID
tPLQ7V
PROGRAM / ERASE
Table 33. Read and Write AC Characteristic, RP Related
(T
A
= –40 to 85°C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M59MR032
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
PHQ7V1
RP High to Data Valid
(Read Mode)
150
150
ns
t
PHQ7V2
RP High to Data Valid
(Power-down enabled)
50
50
μs
t
PLPH
t
RP
RP Pulse Width
100
100
ns
t
PLQ7V
RP Low to Reset Complete
During Program/Erase
15
15
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59MR032D | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5K4164AL-12 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5K4164AL-15 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5M27C202K-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202K-15I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032C100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032C100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032C120GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032C120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032CGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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