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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR032F100N1T |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/38頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | M59DR032F100N1T |
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M59DR032A, M59DR032B
28/38
Figure 8. Write AC Waveforms, E Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of E, Data is latched on the rising edge of E.
AI02540
E
G
W
A0-A20
DQ0-DQ15
VALID
VDD
tVDHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5F7924 | 24 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7920 | 20 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7918 | 18 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7915 | 15 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7910 | 10 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR032F100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032F120N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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