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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L2923BUM-LC4 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.65 ns, DMA184 |
| 封裝： | DIMM-184 |
| 文件頁數(shù)： | 23/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 359K |
| 代理商： | M368L2923BUM-LC4 |
DDR SDRAM
Revision 1.1 November. 2004
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM Pb-Free
1GB, 128M x 72 ECC Module (M381L2923BUM) (Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D0
DM0
DM
D9
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ12
DQ13
DQ14
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D1
DM
D10
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
DM1
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D2
DM
D11
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D3
DM
D12
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D4
DM4
DM
D13
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D5
DM
D14
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D6
DM
D15
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D7
DM
D16
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM7
CS0
CS1
CS
DQS0
DQS
DQS4
DQS1
DQS5
DQS
DQS2
DQS
DQS3
DQS
DM6
DQS6
DQS7
DQ15
I/O 2
I/O 5
CB4
CB5
CB6
CB7
CB0
CB1
CB2
CB3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
D8
DM
D17
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
CS
DQS8
DM8
DQS
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
VSS
D0 - D17
VDD/VDDQ
D0 - D17
VREF
VDDSPD
SPD
* Clock Wiring
CK0/CK0
Clock
Input
SDRAMs
CK1/CK1
6 SDRAMs
CK2/CK2
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3.0 Ohms +
5%
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D17
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D17
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D17
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D17
CKE1
CKE : DDR SDRAMs D9 - D17
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D17
CKE0
CKE : DDR SDRAMs D0 - D8
Card
Edge
D3/D0/D5
D4/D1/D6
D8/D2/D7
D17/D9/D14
D12/D10/D15
D13/D11/D16
R=120
CK0/1/2
*D8, D17 is assigned for ECC Comp.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L2923DUN-CB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| M368L2923DUN-CCC | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| M368L2923BUN-CB3 | Flash Memory IC; Memory Size:4Mbit; Supply Voltage Max:3V; Package/Case:48-FBGA; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Access Time, Tacc:90ns; Series:S29AL |
| M368L6523BTN-CB0 | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| M36LLR8860B1ZAQT | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA88 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L2923BUM-LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L2923BUN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L2923BUN-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L2923CUN-CLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L2923DUN | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
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