參數資料
型號： M30625MGP-XXXGP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, MROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP128
封裝： 14 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-128
文件頁數： 141/348頁
文件大小： 4209K
代理商： M30625MGP-XXXGP
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Electrical Characteristics
225
Mitsubishi microcomputers
M16C / 62P Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Under
development
Preliminary Specifications Rev.1.0
Specifications in this manual are tentative and subject to change.
Table 1.26.3. A-D Conversion Characteristics (Note 1)
Standard
Min.Typ.Max.
–
INL
Resolution
Integral
non-
linearity
error
Bits
VREF =VCC1
10
Symbol
Parameter
Measuring condition
Unit
AN0 to AN7 input
ANEX0, ANEX1 input
External operation amp
connection mode
AN00 to AN07 input
AN20 to AN27 input
VREF=
VCC1=
5V
LSB
±3
LSB
±7
LSB
VREF =VCC1=3.3V
8 bit
±2
RLADDER
tCONV
Ladder resistance
Conversion time(10bit), Sample & hold
function available
Reference voltage
Analog input voltage
k
s
V
VIA
VREF
V
0
2.0
10
VCC1
VREF
40
3.3
Conversion time(8bit), Sample & hold
function available
s
2.8
tCONV
tSAMP
Sampling time
0.3
s
VREF =VCC1
VREF =VCC1=5V, AD=10MHz
VREF =VCC1=5V, AD=10MHz
DNL
Differential non-linearity error
Offset error
Gain error
–
LSB
±1
±3
Note 1: Referenced to VCC1=AVCC=VREF=3.3 to 5.5V, VSS=AVSS=0V at Topr = -20 to 85
°C / -40 to 85 °C unless otherwise
specified.
Note 2: If VCC1 > VCC2, do not use AN00 to AN07 and AN20 to AN27 as analog input pins.
Note 3: AD operation clock frequency (AD frequency) must be 10 MHz or less. And divide the fAD if VCC1 is less than 4.2V,
and make AD frequency equal to or lower than fAD/2.
Note 4: A case without sample & hold function turn AD frequency into 250 kHz or more in addition to a limit of Note 3.
A case with sample & hold function turn AD frequency into 1MHz or more in addition to a limit of Note 3.
10 bit
AN0 to AN7 input
ANEX0, ANEX1 input
External operation amp
connection mode
AN00 to AN07 input
AN20 to AN27 input
VREF=
VCC1=
3.3V
LSB
±5
LSB
±7
Table 1.26.4. D-A Conversion Characteristics (Note 1)
Table 1.26.5. Flash Memory Version Electrical Characteristics (Note 1)
Word program time
Block erase time
Erase all unlocked blocks time
Lock bit program time
30
1
1 X n
30
200
4
4 X n
200
s
Parameter
Standard
Min.
Typ.Max
Unit
Note 1: Referenced to VCC1=4.5 to 5.5V, 3.0 to 3.6V at Topr = 0 to 60
°C unless otherwise specified.
Note 2: n denotes the number of block erases.
Min.Typ.Max.
–
tsu
RO
Resolution
Absolute accuracy
Setup time
Output resistance
Reference power supply input current
Bits
%
k
mA
IVREF
1.0
1.5
8
3
Symbol
Parameter
Measuring condition
Unit
20
10
4
s
(Note 2)
Standard
Note 1: Referenced to VCC1=VREF=3.3 to 5.5V, VSS=AVSS=0V at Topr = -20 to 85
°C / -40 to 85 °C unless otherwise
specified.
Note 2: This applies when using one D-A converter, with the D-A register for the unused D-A converter set to “0016”. The
A-D converter’s ladder resistance is not included. Also, when D-A register contents are not “0016”, the current
IVREF always flows even though Vref may have been set to be unconnected by the A-D control register.
Table 1.26.6. Flash Memory Version Program/Erase Voltage and Read Operation Voltage Characteristics
(at Topr = 0 to 60oC)
Flash program, erase voltage
Flash read operation voltage
VCC1 = 3.3 V ± 0.3 V or 5.0 V ± 0.5 V
VCC1=2.7 to 5.5 V
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PDF描述
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