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參數(shù)資料
| 型號： | M2V28S40ATP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 639K |
| 代理商： | M2V28S40ATP-8 |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
8
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
BA
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ /
WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active, Latch RA
L
L
H
L
BA, A10
PRE /
PREA
NOP*4
L
L
L
H
X
REFA
Auto-Refresh*5
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
Mode Register Set*5
H
X
X
X
X
DESEL
NOP
L
H
H
H
X
NOP
NOP
L
H
H
L
BA
TBST
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ /
READA
WRITE /
WRITEA
Begin Read, Latch CA, Determine
Auto-Precharge
Begin Write, Latch CA, Determine
Auto-Precharge
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank Active / ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE /
PREA
Precharge / Precharge All
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
FUNCTION TRUTH TABLE
Current State
/CS
/RAS /CAS
/WE
Address
Command
Action
IDLE
ROW ACTIVE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S40ATP-8L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-7L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-8 | CA-BAYONET |
| M2V28S40TP-8L | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S40ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40TP-7L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
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