參數(shù)資料
型號： M2V28S40ATP-8
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 128M Synchronous DRAM
中文描述： 128M的同步DRAM
文件頁數(shù)： 22/52頁
文件大小： 639K
代理商： M2V28S40ATP-8
M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
22
[ Read Interrupted by Precharge ]
Burst read operation can be interrupted by precharge of
the same bank
. READ to PRE
interval is minimum 1 CLK. A PRE command to output disable latency is equivalent to the /CAS
Latency. As a result, READ to PRE interval determines valid data length to be output. The figure
below shows examples of BL=4.
Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CL=3
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
CL=2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Command
DQ
READ PRE
Q0
Q1
Command
DQ
READ PRE
Q0
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2V28S40ATP-8L 128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP 128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-7L 128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-8 CA-BAYONET
M2V28S40TP-8L 128M Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2V28S40ATP-8L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-6 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-7 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-7L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
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