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參數(shù)資料
| 型號： | M11L416256SA-35TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 35 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 280K |
| 代理商： | M11L416256SA-35TG |
EliteMT
M11L416256SA
PACKING
40 / 44-LEAD
DIMENSIONS
TSOP(II)
DRAM(400mil)
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
ZD
E
E1
L
L1
e
θ
Dimension in mm
Min
Norm
0.05
0.95
0.30
0.30
0.12
0.10
18.28
18.41
0.805 REF
11.56
10.03
10.16
0.40
0.80 REF
0.80 BSC
Dimension in inch
Min
Norm
0.002
0.037
0.039
0.012
0.012
0.014
0.005
0.004
0.720
0.725
0.0317 REF
0.455
0.463
0.395
0.400
0.016
0.023
0.031 REF
0.0315 BSC
Max
1.20
0.15
1.05
0.45
0.40
0.21
0.16
18.54
Max
0.047
0.006
0.042
0.018
0.016
0.008
0.006
0.730
1.00
0.35
11.76
11.96
10.29
0.69
0.471
0.4
0.027
0.59
O ~
REF
°
7
O ~
REF
°
7
Elite Memory Technology Inc
Publication Date
:
Aug. 2005
Revision
:
1.4
15/16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-5T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M-11-LID-PLATED | 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 PLTD LID FOR M11 RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級: 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red |
| M11LRGSP | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIGHTED |
| M11LRSP | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIGHTED |
| M11LTR | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST ON/OFF, LIT TIP |
| M11LTRM | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:MARINE SWITCH, SPST MOM ON/OFF,LIT TIP |
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