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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5362203C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國科學院1Mx4四，每1000刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | KMM5362203C2W |
DRAM MODULE
KMM5362203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 4 -
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vcc
Vss
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs
RAS0
W
A0-A9
DQ0
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CAS2
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U3
U4
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
OE
W
A0-A9
U5
DQ0-DQ7
DQ9-DQ16
DQ35
DQ26
DQ17
DQ8
DQ18-DQ25
DQ27-DQ34
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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