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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5362203C2W |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 1Mx4 Quad CAS, 1K Refresh, 5V |
| 中文描述： | 200萬× 36的DRAM使用1Mx16上海藥物研究所和中國科學院1Mx4四，每1000刷新，5V的 |
| 文件頁數(shù)： | 14/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | KMM5362203C2W |
DRAM MODULE
KMM5362203C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 14 -
RAS
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CAS
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DQ
HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )
NOTE : D
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM5362205C2W | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| KMM5362205C2WG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
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