參數(shù)資料
型號(hào)： KMM466F804BS1
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 64 DRAM SODIMM(8M x 64 動(dòng)態(tài) RAM模塊)
中文描述： 8米× 64內(nèi)存的SODIMM（8米× 64動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁(yè)數(shù)： 19/21頁(yè)
文件大小： 409K
代理商： KMM466F804BS1
DRAM MODULE
KMM466F804BS1-L
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
t
RAS
t
RSH
t
CHR
t
RAL
t
CSR
t
CPT
t
RP
t
CAS
t
ASC
t
CAH
READ CYCLE
V
OH
-
V
OL
-
DATA-OUT
DQ
t
REZ
t
CLZ
WRITE CYCLE
V
IH
-
V
IL
-
DATA-IN
DQ
t
DH
t
DS
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WP
t
CWD
t
CWL
t
RWL
READ-MODIFY-WRITE
t
AWD
V
IH
-
V
IL
-
OE
t
OEA
t
AA
t
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t
DS
t
DH
VALID
DATA-OUT
V
I/OH
-
V
I/OL
-
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Undefined
V
IH
-
V
IL
-
OE
t
OEA
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OE
V
IH
-
V
IL
-
t
RCS
t
CLZ
t
OEZ
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t
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t
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t
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t
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t
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t
AA
V
IH
-
V
IL
-
W
t
WRP
t
WRH
t
WCS
t
WCH
t
CWL
V
IH
-
V
IL
-
W
t
WP
t
RWL
t
WRP
t
WRH
VALID
DATA-IN
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 64M DRAM based modules.
t
CEZ
t
WEZ
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PDF描述
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