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參數(shù)資料
| 型號： | KMM466F804BS1 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 64 DRAM SODIMM(8M x 64 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 8米× 64內(nèi)存的SODIMM（8米× 64動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 409K |
| 代理商： | KMM466F804BS1 |
DRAM MODULE
KMM466F804BS1-L
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
′
t care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CHR
t
CEZ
V
OH
-
V
OL
-
DQ
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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