參數(shù)資料
型號： KMM350S823BT1
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊)
中文描述： 8米× 72 SDRAM的內存（8米× 72同步動態(tài)內存模塊）
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： KMM350S823BT1
REV. 4 Aug. 1998
Preliminary
KMM350S823BT1
SDRAM MODULE
*1. Register Input
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
CLK
RAS
CAS
WE
RAS
CAS
WE
CAS latency(refer to *1)
=2CLK+1CLK
tSAC
tRDL
Read
Command
Row Active
Precharge
Command
Row Active
Write
Command
Precharge
Command
1CLK
td
tr
td
tr
td, tr = Delay of register (SN74ALVC162835 of TI)
Notes :
1. In case of module timing, command cycles delayed 1CLK with respect to external input timing at the address and input signal
because of the buffering in register (SN74ALVC162835). Therefore, Input/Output signals of read/write function should be
issued 1CLK earlier as compared to Unbuffered DIMMs.
2. D
IN
is to be issued 1clock after write command in external timing because D
IN
is issued directly to module.
: Don
′
t
care
STANDARD TIMING DIAGRAM WITH REGISTER (CL=2, BL=4)
*2. Register Output
*3. SDRAM
REG
Control Signal(RAS,CAS,WE)
*1
*2
*3
D
OUT
tRAC(refer to *1)
tRAC(refer to *2)
CAS latency(refer to *2)
=2CLK
DQ
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
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PDF描述
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