參數(shù)資料
型號： KMM350S823BT1
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 72 SDRAM DIMM(8M x 72同步動態(tài)RAM模塊)
中文描述： 8米× 72 SDRAM的內(nèi)存（8米× 72同步動態(tài)內(nèi)存模塊）
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大?。?/td> 180K
代理商： KMM350S823BT1
REV. 4 Aug. 1998
Preliminary
KMM350S823BT1
SDRAM MODULE
PACKAGE DIMENSIONS
Units : Inches (Millimeters)
0.050
(1.270)
0.039
±
0.002
(1.000
±
0.050)
0.010 Max
(0.250 Max)
0
(
Detail C
0.250
(6.350)
Detail A
0.123
±
0.
005
(3.125
±
0.125)
0.250
(6.350)
Detail B
0.123
±
0.005
(3.125
±
0.125)
0.079
±
0.004
(2.000
±
0.100)
0.079
±
0.004
(2.000
±
0.100)
Tolerances :
±
0.005(.13) unless otherwise specified
The used device is 8Mx8 SDRAM, TSOP
SDRAM Part No. : KM48S8030BT
5.250
(133.350)
5.014
(127.350)
0.150 Max
(3.81 Max)
0.050
±
0.0039
(1.270
±
0.10)
R 0.079
(R 2.000)
0.250
(6.350)
1.450
(36.830)
2.150
(54.61)
0
(
0.350
(8.890)
0
(
0
(
.118DIA
±
0.004
(3.000DIA
±
0.100)
A
C
0.250
(6.350)
.450
(11.430)
4.550
(115.57)
0.157
±
0.004
(4.000
±
0.100)
0.054
(1.372)
1
(
0.118
(3.000)
0
(
B
REG
REG
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PDF描述
KMM364C224BJ 2M x 64 DRAM DIMM(2M x 64 動態(tài) RAM模塊)
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參數(shù)描述
KMM350VN561M30X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 560UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VN681M30X60T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 680uF 350V 30X60 RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM350VS221M20X50T2 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 220UF 350V RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
KMM36 制造商:TYSEMI 制造商全稱:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES
KMM366S1623AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
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