參數(shù)資料
型號(hào)： KM416S1120D
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
中文描述： 為512k × 16位× 2銀行同步DRAM LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 18/43頁(yè)
文件大?。?/td> 1131K
代理商： KM416S1120D
KM416S1120D
CMOS SDRAM
- 18
Rev. 1.4 (Jun. 1999)
(b) CL=3, BL=4
( Continued )
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
*Note :
1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only the other bank precharge of dual banks operation.
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 3
Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416S16230A 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
KM416S4030C 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F10 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F7 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
KM416S4030CT-F8 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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