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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416S1120D |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 為512k × 16位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 11/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1131K |
| 代理商： | KM416S1120D |
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KM416S1120D
CMOS SDRAM
- 11
Rev. 1.4 (Jun. 1999)
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Address
A
1
Sequential
Interleave
A
0
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0
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2
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0
1
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0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial Address
A
1
Sequential
Interleave
0
0
0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S16230A | 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4030C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F10 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F7 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F8 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S1120DT-G/F10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/F6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/FC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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