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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S1021C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM with SSTL interfacer(512K x 16位 x 2組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| 中文描述： | 為512k × 16 × 2同步DRAM銀行與薩里衛(wèi)星技術(shù)有限公司interfacer（為512k × 16位× 2組同步動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶SSTL公司接口）） |
| 文件頁數(shù)： | 26/41頁 |
| 文件大小： | 573K |
| 代理商： | KM416S1021C |
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TIMING DIAGRAM - I
CMOS SDRAM
ELECTRONICS
REV. 4 Nov. '97
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*Note :
1. All inputs except CKE & DQM can be don
t care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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