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參數(shù)資料
| 型號： | KM29W16000ATS |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 11/21頁 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | KM29W16000ATS |
KM29W16000ATS
FLASH MEMORY
11
* Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
0 ~ 7
70H
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
CLS
t
CS
t
WP
t
CH
t
WHR
t
CSTO
t
CHZ*
t
RHZ*
t
RSTO
t
IR
t
DH
t
DS
READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
CLE
R/B
I/O
0 ~ 7
WE
ALE
RE
Busy
00h
A
0
~ A
7
A
8
~ A
15
A
16
~ A
20
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
CEH
t
CHZ
t
R
t
RC
t
RHZ
t
RB
t
AR
t
RR
t
CRY
Dout N+3
Dout N+2
Dout N+1
Dout 263
Dout N
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29W32000AIT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000AT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000AK1 | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000ATS | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000IT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM2M COMBO-L | 制造商:Micro-Star International 功能描述:KM266 UATX AMD 266FSB DDR - Bulk |
| KM2M806XT | 制造商:Kontron 功能描述:M2M DEPLOYMENT UNIT FOR APPLICATIONS IN HARSH ENVIRONMENTS - Boxed Product (Development Kits) |
| KM2M810-01 | 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITHOUT THE ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits) |
| KM2M810-02 | 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITH ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits) |
| KM2M810-08 | 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEV KIT WITH ERICSSON MODEM, PTCRB CERTIFIED - Boxed Product (Development Kits) |
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