參數(shù)資料
型號(hào)： KM29W16000AIT
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 200萬(wàn)× 8位NAND閃存（2米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 16/23頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： KM29W16000AIT
KM29W16000AT, KM29W16000AIT
FLASH MEMORY
16
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
CE
CLE
R/B
I/O
0 ~ 7
WE
ALE
RE
60H
A
16
~ A
20
A
8
~ A
15
Auto Block Erase Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Erase
I/O
0
=1 Error in Erase
DOH
70H
I/O
0
Busy
t
BERS
t
WB
Block
Address
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
90H
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00H
ECH
Note*
t
REA
Note* KM29V16000 : EAH
KM29N16000 : 64H
KM29W16000 : EAH
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM29W16000AT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W16000ATS 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AIT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AK1 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM2M COMBO-L 制造商:Micro-Star International 功能描述:KM266 UATX AMD 266FSB DDR - Bulk
KM2M806XT 制造商:Kontron 功能描述:M2M DEPLOYMENT UNIT FOR APPLICATIONS IN HARSH ENVIRONMENTS - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-01 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITHOUT THE ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-02 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITH ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-08 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEV KIT WITH ERICSSON MODEM, PTCRB CERTIFIED - Boxed Product (Development Kits)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*