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參數(shù)資料
| 型號： | KM29W040AIT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲器) |
| 中文描述： | 為512k × 8位NAND閃存（為512k × 8位的NAND閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 21/21頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | KM29W040AIT |
KM29W040AT, KM29W040AIT
FLASH MEMORY
21
PACKAGE DIMENSIONS
Unit :mm/Inch
0~8
°
0
0.805
0.032
#1
44(40) LEAD PLASTIC THIN SMALL OUT-LINE PACKAGE TYPE(II)
0
#22(20)
#44(40)
#23(21)
0.35
±
0.10
0.014
±
0.004
0.80
0.0315
M
0
1M
18.41
±
0.10
0.725
±
0.004
0.741
+0.10
-0.05
+0.004
-0.002
0.15
0.006
1
0
44(40) - TSOP2 - 400F
0.10
0.004
0.50
0.020
0.25
0
0
0
±
1
±
0
MAX
1
±
0
0
±
0
(
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29W16000AIT | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W16000AT | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W16000ATS | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000AIT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
| KM29W32000AT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29W040AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory |
| KM2M COMBO-L | 制造商:Micro-Star International 功能描述:KM266 UATX AMD 266FSB DDR - Bulk |
| KM2M806XT | 制造商:Kontron 功能描述:M2M DEPLOYMENT UNIT FOR APPLICATIONS IN HARSH ENVIRONMENTS - Boxed Product (Development Kits) |
| KM2M810-01 | 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITHOUT THE ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits) |
| KM2M810-02 | 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITH ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits) |
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