參數(shù)資料
型號(hào)： KM29W040AIT
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 為512k × 8位NAND閃存（為512k × 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 13/21頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商： KM29W040AIT
KM29W040AT, KM29W040AIT
FLASH MEMORY
13
* Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
70H
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
REA
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
RSTO
t
IR
t
RHZ*
t
CHZ*
t
WHR
t
CSTO
READ OPERATION
(READ ONE FRAME)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Dout 32
Column
Address
Row
Address
t
WB
t
AR
t
R
t
CHZ
t
RC
t
RHZ
t
RR
00h
A
0
~ A
7
A
8
~ A
15
A
16
~ A
18
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM29W16000AIT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W16000AT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W16000ATS 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AIT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM29W040AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory
KM2M COMBO-L 制造商:Micro-Star International 功能描述:KM266 UATX AMD 266FSB DDR - Bulk
KM2M806XT 制造商:Kontron 功能描述:M2M DEPLOYMENT UNIT FOR APPLICATIONS IN HARSH ENVIRONMENTS - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-01 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITHOUT THE ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-02 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITH ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
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