參數(shù)資料
型號(hào)： KM29W040AIT
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 為512k × 8位NAND閃存（為512k × 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 12/21頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商： KM29W040AIT
KM29W040AT, KM29W040AIT
FLASH MEMORY
12
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
I/O
0
~
7
DIN 0
DIN 1
DIN 31
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
* Burst Read Cycle After Frame Access
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
I/O
0
~
7
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
RP
t
REA
t
RR
t
RHZ*
t
REA
t
REH
t
REA
t
RHZ*
t
RHZ
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM29W16000AIT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W16000AT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W16000ATS 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AIT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
KM29W32000AT 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8 位 NAND閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM29W040AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory
KM2M COMBO-L 制造商:Micro-Star International 功能描述:KM266 UATX AMD 266FSB DDR - Bulk
KM2M806XT 制造商:Kontron 功能描述:M2M DEPLOYMENT UNIT FOR APPLICATIONS IN HARSH ENVIRONMENTS - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-01 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITHOUT THE ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
KM2M810-02 制造商:Kontron 功能描述:FRI 2.0 DEVELOPMENT KIT WITH ERICSSON MODEM - Boxed Product (Development Kits)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*