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參數資料
| 型號： | KIT912F634EVME |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數： | 189/339頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | KIT EVAL FOR MM912F634 |
| 標準包裝： | 1 |
| 類型： | MCU |
| 適用于相關產品： | MM912F634 |
| 所含物品： | 板，線纜，CD |
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Functional Description and Application Information
32 kbyte Flash Module (S12SFTSR32KV1)
MM912F634
Freescale Semiconductor
269
4.36
32 kbyte Flash Module (S12SFTSR32KV1)
4.36.1
Introduction
This document describes the S12SFTSR32K module, that includes a 32 kbyte Flash (nonvolatile) memory.
CAUTION
A Flash block address must be in the erased state before being programmed. Cumulative
programming of bits within a Flash block address is not allowed, except for status field
updates required in EEPROM emulation applications.
The Flash memory is ideal for single-supply applications, allowing for field reprogramming without requiring external high voltage
sources for program or erase operations. The Flash module includes a memory controller that executes commands to modify
Flash memory contents.
Array read access time is one bus cycle for bytes and aligned words, and two bus cycles for misaligned words. For Flash memory,
an erased bit reads 1 and a programmed bit reads 0. It is not possible to read from a Flash block while any command is executing
on that specific Flash block.
4.36.1.1
Glossary
Command Write Sequence — A three step MCU instruction sequence to execute built-in algorithms (including program and
erase) on the Flash memory.
Flash Array — The Flash array constitutes the main memory portion of a Flash block.
Flash Block — An analog block consisting of the Flash array and Flash IFR with supporting high voltage and parametric test
circuitry.
Flash IFR — Nonvolatile information memory, consisting of 128 bytes, located in the Flash block outside of Flash main memory.
Refer to the SoC Guide on how to make the Flash IFR visible in the global memory map.
4.36.1.2
Features
32 kbytes of Flash memory comprised of one 32 kbyte block divided into 64 sectors of 512 bytes
Nonvolatile information memory (Flash IFR) comprised of one 128 byte block
Automated program and erase algorithm
Interrupt on Flash command completion, command buffer empty
Fast program and sector erase operation
Burst program command for faster Flash array program times
Flexible protection scheme to prevent accidental program or erase
Single power supply for all Flash operations including program and erase
Security feature to prevent unauthorized access to the Flash memory
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRJ0800DD-A | C/A MRJ21/MRJ21 GBE STRT CMR 80M |
| VE-JWF-EZ | CONVERTER MOD DC/DC 72V 25W |
| EBC28DCMD-S288 | CONN EDGECARD 56POS .100 EXTEND |
| RS-4805DZ/H3 | CONV DC/DC 2W 18-72VIN +/-05VOUT |
| 38S801C | INDUCTOR 0.80UH 12.5A SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KIT912H634EVME | 功能描述:開發(fā)板和工具包 - S08 / S12 DUAL LOW&HIDE SWITCH EVB RoHS:否 產品:Development Kits 工具用于評估:MC9S12G128 核心:S12 接口類型:CAN, LIN, RS-232, USB 工作電源電壓:5 V 制造商:Freescale Semiconductor |
| KIT912J637EVME | 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 BATTERY SENSOR 912J637 RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V |
| KIT912S812ECUEVM | 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 Single Cylinder S12XS E RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V |
| Kit-916 | 制造商:ANDERSON POWER PRODUCTS 功能描述:KIT |
| Kit-917 | 制造商:ANDERSON POWER PRODUCTS 功能描述:KIT |
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